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ประเภทสต็อก
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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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MCU65N10Y-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 65A(Tc) 96W(Tj) 面実装 TO-252(DPAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-353-MCU65N10Y-TPTR-ND@0

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 65A(Tc) 2270 pF @ 50 V 96W(Tj) 8.6ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252(DPAK) MOSFET(金属酸化物) -
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MCU65N10YA-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 65A(Tc) 96W 面実装 TO-252(DPAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-353-MCU65N10YA-TPTR-ND@0

Nチャンネル 100 V 10V 65A(Tc) 2431 pF @ 50 V 96W 9.5ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252(DPAK) MOSFET(金属酸化物) -
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MCU65N10YA-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 65A(Tc) 96W 面実装 TO-252(DPAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-353-MCU65N10YA-TPCT-ND@0

Nチャンネル 100 V 10V 65A(Tc) 2431 pF @ 50 V 96W 9.5ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252(DPAK) MOSFET(金属酸化物) -
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RoHS
   

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Pチャンネル 40 V 65A(Tc) 96W(Tj) 面実装 TO-252(DPAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-353-MCU65P04-TPCT-ND@0

Pチャンネル 40 V 10V 65A(Tc) 3354 pF @ 20 V 96W(Tj) 14ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 59.1 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252(DPAK) MOSFET(金属酸化物) -
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RoHS
   

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Pチャンネル 40 V 65A(Tc) 96W(Tj) 面実装 TO-252(DPAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-353-MCU65P04-TPTR-ND@0

Pチャンネル 40 V 10V 65A(Tc) 3354 pF @ 20 V 96W(Tj) 14ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 59.1 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252(DPAK) MOSFET(金属酸化物) -
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RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 75A(Tc) 100W(Tj) 面実装 TO-252(DPAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-353-MCU75N06Y-TPTR-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 75A(Tc) 1698 pF @ 30 V 100W(Tj) 4.8ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 34.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252(DPAK) MOSFET(金属酸化物) -
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MCU75N06YHE3-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 75A(Tc) 100W(Tj) 面実装 TO-252(DPAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-353-MCU75N06YHE3-TPCT-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 75A(Tc) 1698 pF @ 30 V 100W(Tj) 4.8ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 34.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252(DPAK) MOSFET(金属酸化物) -
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MCU75N06YHE3-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 75A(Tc) 100W(Tj) 面実装 TO-252(DPAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-353-MCU75N06YHE3-TPTR-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 75A(Tc) 1698 pF @ 30 V 100W(Tj) 4.8ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 34.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252(DPAK) MOSFET(金属酸化物) -
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MCU80N03-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 80A(Tc) 70W(Tc) 面実装 DPAK
CoreStaff Part Number:zp2216-MCU80N03-TPMSTR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 80A(Tc) 1600 pF @ 15 V 70W(Tc) 4ミリオーム @ 18A、10V 2.5V @ 250µA 28 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 DPAK MOSFET(金属酸化物) -
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MCU80N03-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 80A(Tc) 70W(Tc) 面実装 DPAK
CoreStaff Part Number:zp2216-MCU80N03-TPMSCT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 80A(Tc) 1600 pF @ 15 V 70W(Tc) 4ミリオーム @ 18A、10V 2.5V @ 250µA 28 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 DPAK MOSFET(金属酸化物) -
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MCU80N03A-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 80A(Tc) 45W(Tc) 面実装 DPAK
CoreStaff Part Number:zp2216-353-MCU80N03A-TPCT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 80A(Tc) 2150 pF @ 15 V 45W(Tc) 5.5ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 52.8 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 DPAK MOSFET(金属酸化物) -
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MCU80N03A-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 80A(Tc) 45W(Tc) 面実装 DPAK
CoreStaff Part Number:zp2216-353-MCU80N03A-TPTR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 80A(Tc) 2150 pF @ 15 V 45W(Tc) 5.5ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 52.8 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 DPAK MOSFET(金属酸化物) -
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RoHS
   

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CoreStaff Part Number:zp2216-353-MCU80N05YHE3-TPTR-ND@0

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MCU80N06-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 80A(Tc) 85W 面実装 DPAK
CoreStaff Part Number:zp2216-MCU80N06-TPMSCT-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 80A(Tc) 4200 pF @ 25 V 85W 12ミリオーム @ 30A、10V 1.5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 DPAK MOSFET(金属酸化物) -
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MCU80N06-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 80A(Tc) 85W 面実装 DPAK
CoreStaff Part Number:zp2216-MCU80N06-TPMSTR-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 80A(Tc) 4200 pF @ 25 V 85W 12ミリオーム @ 30A、10V 1.5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 DPAK MOSFET(金属酸化物) -
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MCU80N06A-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 80A(Tc) 68W 面実装 DPAK
CoreStaff Part Number:zp2216-353-MCU80N06A-TPTR-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 80A(Tc) 1990 pF @ 30 V 68W 8ミリオーム @ 30A、10V 2.2V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 DPAK MOSFET(金属酸化物) -
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MCU80N06A-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 80A(Tc) 68W 面実装 DPAK
CoreStaff Part Number:zp2216-353-MCU80N06A-TPCT-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 80A(Tc) 1990 pF @ 30 V 68W 8ミリオーム @ 30A、10V 2.2V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 DPAK MOSFET(金属酸化物) -
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RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 80A(Tc) 78W(Tj) 面実装 TO-252(DPAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-353-MCU80N06AHE3-TPTR-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 80A(Tc) 2100 pF @ 25 V 78W(Tj) 7.5ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252(DPAK) MOSFET(金属酸化物) -
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MCU80P06Y-TP

RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 80A 120W(Tj) 面実装 TO-252(DPAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-353-MCU80P06Y-TPTR-ND@0

Pチャンネル 60 V 10V 80A 5450 pF @ 30 V 120W(Tj) 8.4ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±18V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252(DPAK) MOSFET(金属酸化物) -
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MCU80P06Y-TP

RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 80A 120W(Tj) 面実装 TO-252(DPAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-353-MCU80P06Y-TPCT-ND@0

Pチャンネル 60 V 10V 80A 5450 pF @ 30 V 120W(Tj) 8.4ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±18V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252(DPAK) MOSFET(金属酸化物) -
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MCU90N06A-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 90A 110W 面実装 DPAK
CoreStaff Part Number:zp2216-353-MCU90N06A-TPCT-ND@0

Nチャンネル 60 V 90A 5170 pF @ 30 V 110W 7.2ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 102 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 DPAK MOSFET(金属酸化物) -
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MCU90N06A-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 90A 110W 面実装 DPAK
CoreStaff Part Number:zp2216-353-MCU90N06A-TPTR-ND@0

Nチャンネル 60 V 90A 5170 pF @ 30 V 110W 7.2ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 102 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 DPAK MOSFET(金属酸化物) -
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MCU95N06KY-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 95A 160W 面実装 TO-252(DPAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-353-MCU95N06KY-TPCT-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 95A 4159 pF @ 30 V 160W 5.5ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 72.84 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252(DPAK) MOSFET(金属酸化物) -
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MCU95N06KY-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 95A 160W 面実装 TO-252(DPAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-353-MCU95N06KY-TPTR-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 95A 4159 pF @ 30 V 160W 5.5ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 72.84 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252(DPAK) MOSFET(金属酸化物) -
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RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 200A(Tc) 375W(Tj) スルーホール TO-247-3
CoreStaff Part Number:zp2216-353-MCW200N10YA-BPTR-ND@0

Nチャンネル 100 V 10V 200A(Tc) 10051 pF @ 50 V 375W(Tj) 2.7ミリオーム @ 30A、10V 4V @ 250µA 166 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-3 MOSFET(金属酸化物) -
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RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 220A(Tc) 375W(Tj) スルーホール TO-247-3
CoreStaff Part Number:zp2216-353-MCW220N10Y-BPTR-ND@0

Nチャンネル 100 V 10V 220A(Tc) 10051 pF @ 50 V 375W(Tj) 2.4ミリオーム @ 30A、10V 4V @ 250µA 166 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-3 MOSFET(金属酸化物) -
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MD06P115

   

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Pチャンネル 3.1A 1.5W 面実装 SOT-26
CoreStaff Part Number:zp2216-4878-MD06P115TR-ND@0

Pチャンネル 3.1A 1.5W 面実装 SOT-26
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MD06P115

   

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Pチャンネル 3.1A 1.5W 面実装 SOT-26
CoreStaff Part Number:zp2216-4878-MD06P115CT-ND@0

Pチャンネル 3.1A 1.5W 面実装 SOT-26
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MD06P115-AQ

   

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Pチャンネル 3.1A 1.5W 面実装 SOT-26
CoreStaff Part Number:zp2216-4878-MD06P115-AQTR-ND@0

Pチャンネル 3.1A 1.5W 面実装 SOT-26
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MD06P115-AQ

   

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Pチャンネル 3.1A 1.5W 面実装 SOT-26
CoreStaff Part Number:zp2216-4878-MD06P115-AQCT-ND@0

Pチャンネル 3.1A 1.5W 面実装 SOT-26
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Pチャンネル 100 V 1.6A(Ta) 1W(Ta) 面実装 SOT-26
CoreStaff Part Number:zp2216-4878-MD10P380-ND@0

Pチャンネル 100 V 4.5V、10V 1.6A(Ta) 1046 pF @ 50 V 1W(Ta) 325mOhm @ 1A, 10V 2.3V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-26 MOSFET(金属酸化物) -
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MGSF1N02LT1G

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Nチャンネル 20 V 750mA(Ta) 400mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-MGSF1N02LT1GOSCT-ND@0

Nチャンネル 20 V 4.5V、10V 750mA(Ta) 125 pF @ 5 V 400mW(Ta) 90ミリオーム @ 1.2A、10V 2.4V @ 250µA ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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MGSF1N02LT1G

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 750mA(Ta) 400mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-MGSF1N02LT1GOSTR-ND@0

Nチャンネル 20 V 4.5V、10V 750mA(Ta) 125 pF @ 5 V 400mW(Ta) 90ミリオーム @ 1.2A、10V 2.4V @ 250µA ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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MGSF1N03LT1G

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Nチャンネル 30 V 1.6A(Ta) 420mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-MGSF1N03LT1GOSTR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 1.6A(Ta) 140 pF @ 5 V 420mW(Ta) 100ミリオーム @ 1.2A、10V 2.4V @ 250µA ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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MGSF1N03LT1G

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Nチャンネル 30 V 1.6A(Ta) 420mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-MGSF1N03LT1GOSCT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 1.6A(Ta) 140 pF @ 5 V 420mW(Ta) 100ミリオーム @ 1.2A、10V 2.4V @ 250µA ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -

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