EMD12T2R
ROHM
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เอกสาร
คำอธิบายสินค้า
| Category | ดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์ Array Pre-Biased |
| Manufacturer | ROHM |
| トランジスタタイプ | プリバイアス NPN+PNP |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 50 V |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 500 nA |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 100 mA |
| Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小） | 68 @ 5mA、5V |
| 周波数 - トランジション | 250MHz |
| 抵抗 - エミッタベース（R2） | 47 kOhms |
| 抵抗 - ベース（R1） | 47 kOhms |
| 電力 - 最大 | 150mW |
| Vce飽和（最大） @ lb、Ic | 300mV @ 500μA、 10mA |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | EMT6 |
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