FQB47P06TM-AM002
ON SEMICONDUCTOR
รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง
คำอธิบายสินค้า
| Category | ดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์ Discrete single |
| Manufacturer | ON SEMICONDUCTOR |
| シリーズ | QFETR |
| FETタイプ | Pチャンネル |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 47A(Tc) |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 3600 pF @ 25 V |
| 電力散逸（最大） | 3.75W（Ta）、160W（Tc） |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 26ミリオーム @ 23.5A、10V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 4V @ 250μA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 110 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±25V |
| 使用温度範囲 | -55°C～175°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | TO-263（D2PAK） |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
・Product description information is provided for convenience to provide an overview of the product.
・Please refer to the data sheet issued by the manufacturer for the relevant official information.
มีอยู่ในสต้อค: 800
MOQ:800
SPQ:800
| จำนวน | ราคาต่อหน่วย (FOB JAPAN) |
|---|---|
| 800 - | $2.996 |
| - | - |
| - | - |
| - | - |
| - | - |
| - | - |
| - | - |
| - | - |
