NTJD4401NT1G
ON SEMICONDUCTOR
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เอกสาร
คำอธิบายสินค้า
| Category | ดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์ Arrays |
| Manufacturer | ON SEMICONDUCTOR |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 630mA |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 46pF @ 20V |
| 電力 - 最大 | 270mW |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 375ミリオーム @ 630mA、4.5V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 1.5V @ 250μA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 3nC @ 4.5V |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| 構成 | 2 Nチャンネル（デュアル） |
| FET機能 | 論理レベルゲート |
| 使用温度範囲 | -55°C～150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
・Product description information is provided for convenience to provide an overview of the product.
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มีอยู่ในสต้อค: 1,497
MOQ:613
SPQ:1
| จำนวน | ราคาต่อหน่วย (FOB JAPAN) |
|---|---|
| 613 - | $0.12 |
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