RJK0330DPB-01#J0
RENESAS
มาตรฐานRoHS:N/A
ประเภทสต็อก:Quality-guaranteed
Management ID:st65874443
Date Code:2023
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เอกสาร
คำอธิบายสินค้า
| Category | ดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์ Discrete single |
| Manufacturer | RENESAS |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | MOSFET（金属酸化物） |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 30V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 4.5V、10V |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 45A(TA) |
| 電力散逸（最大） | 4300 pF @ 10 V |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 55W（Tc） |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 2.7ミリオーム @ 22.5A、10V |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 20V |
| 使用温度範囲 | ±20V |
| 用途 | 150°C(TJ) |
| デバイスパッケージ | 面実装 |
| 技術 | LFPAK |
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