IRF7341TRPBF
INFINEON
มาตรฐานRoHS:N/A
ประเภทสต็อก:Quality-guaranteed
Management ID:st50099292
Date Code:22+
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เอกสาร
คำอธิบายสินค้า
| Category | ดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์ Arrays |
| Manufacturer | INFINEON |
| シリーズ | HEXFET® |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 55V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 4.7A |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 740pF @ 25V |
| 電力 - 最大 | 2W |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 50ミリオーム @ 4.7A、10V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 1V @ 250μA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 36nC @ 10V |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| 構成 | 2 Nチャンネル（デュアル） |
| FET機能 | 論理レベルゲート |
| 使用温度範囲 | -55°C～150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | 8-SO |
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