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核友管理編號		 Manufacturer Series FET Type Drain to Source Voltage (Vdss) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds Power Dissipation (Max) Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Operating Temperature Range Applications Automotive Mounting Type Device Package Technology FET Feature
質量保證
B-1 		日本供應商
102,000 2004  

預計 4個工作天

核友型號：st42712642

TOSHIBA MOSFET Pch
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

2SJ649-AZ
RENESAS

150 2013  

預計 4個工作天

核友型號：st60019532

RENESAS P-Channel 60V 4V, 10V 20A(Tc) 1900 pF @ 10 V 2W(Ta), 25W(Tc) 48mOhms @ 10A, 10V -20 V 38 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) Through Hole TO-220 Isolation Tab Mosfet (Metal Oxide)
質量保證
B-2 		來自供應商的訂

2SJ673-AZ
RENESAS

1,000 24+   MOQ : 964
SPQ : 964

預計 25個工作天

核友型號：st75584387

RENESAS P-Channel 60V 4V, 10V 36A(Tc) 4600 pF @ 10 V 2W(Ta), 32W(Tc) 20mOhms @ 18A, 10V 20 V 87 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) Through Hole TO-220 Isolation Tab Mosfet (Metal Oxide)
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

2SJ681(Q)

2SJ681(Q)
TOSHIBA

248   MOQ : 10
SPQ : 1

預計 11個工作天

核友型號：st66346197

TOSHIBA P-Channel 60V 4V, 10V 5A(TA) 700 pF @ 10 V 20W(Ta) 170mOhms @ 2.5A, 10V 2V @ 1mA ±20V ±20V 150°C(TJ) Through Hole PW-MOLD2 Mosfet (Metal Oxide) Logic Level Gate
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

2SK1029
TOSHIBA

620 2008  

預計 4個工作天

核友型號：st60019534

TOSHIBA
質量保證
B-1 		日本供應商
6,031 2017  

預計 4個工作天

核友型號：st39999049

RENESAS
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

2SK1062
TOSHIBA

3,103  

預計 11個工作天

核友型號：st70447703

TOSHIBA MOSFET Nch Surface Mount S-Mini
質量保證
B-1 		日本供應商

2SK1120
TOSHIBA

17 2000  

預計 4個工作天

End of Life 核友型號：st30334858

TOSHIBA MOSFET Nch Through Hole TO-3P(N)
質量保證
B-1 		日本供應商

2SK1155-E
RENESAS

150 2013  

預計 4個工作天

核友型號：st39391420

RENESAS

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