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核友型号
メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SCH1430-TL-H

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Nチャンネル 20 V 2A(Ta) 800mW(Ta) 面実装 6-SCH
核友型号:zp2216-SCH1430-TL-H-ND@0

Nチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 2A(Ta) 128 pF @ 10 V 800mW(Ta) 125ミリオーム @ 1A、4.5V - 1.8 nC @ 4.5 V ±12V 150°C(TJ) 面実装 6-SCH MOSFET(金属酸化物) -
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Nチャンネル 900 V 110A(Tc) 625W(Tc) 面実装 H2PAK-7
核友型号:zp2216-497-SCT012H90G3AGTR-ND@0

Nチャンネル 900 V 15V、18V 110A(Tc) 3880 pF @ 600 V 625W(Tc) 15.8ミリオーム @ 60A、18V 4.2V @ 10mA 138 nC @ 18 V +18V、-5V -55°C~175°C(TJ) 面実装 H2PAK-7 SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) -
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Nチャンネル 1200 V 129A(Tc) 673W(Tc) スルーホール TO-247-4
核友型号:zp2216-497-SCT015W120G3-4AG-ND@0

Nチャンネル 1200 V 15V、18V 129A(Tc) 3512 pF @ 800 V 673W(Tc) 17.5ミリオーム @ 60A、18V 4.2V @ 10mA 167 nC @ 18 V +22V、-10V -55°C~200°C(TJ) スルーホール TO-247-4 SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) -
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Nチャンネル 650 V 55A(Tc) 385W(Tc) 面実装 H2PAK-7
核友型号:zp2216-497-SCT018H65G3AGTR-ND@0

Nチャンネル 650 V 15V、18V 55A(Tc) 2124 pF @ 400 V 385W(Tc) 27ミリオーム @ 30A、18V 4.2V @ 5mA 79.4 nC @ 18 V +22V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 H2PAK-7 SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) -
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Nチャンネル 650 V 55A(Tc) スルーホール TO-247-4
核友型号:zp2216-497-SCT018W65G3-4AG-ND@0

Nチャンネル 650 V 15V、18V 55A(Tc) 2077 pF @ 400 V 398W (Tc) 27ミリオーム @ 30A、18V 4.2V @ 5mA 77 nC @ 18 V +22V、-10V -55°C~200°C(TJ) スルーホール TO-247-4 MOSFET(金属酸化物) -
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Nチャンネル 1200 V 56A(Tc) 388W(Tc) スルーホール TO-247-4
核友型号:zp2216-497-SCT025W120G3-4AG-ND@0

Nチャンネル 1200 V 15V、18V 56A(Tc) 1990 pF @ 800 V 388W(Tc) 37ミリオーム @ 25A、18V 4.2V @ 5mA 73 nC @ 18 V +18V、-5V -55°C~200°C(TJ) スルーホール TO-247-4 SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) -
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Nチャンネル 650 V 60A(Tc) 313W(Tc) スルーホール TO-247-4
核友型号:zp2216-497-SCT027W65G3-4AG-ND@0

Nチャンネル 650 V 15V、18V 60A(Tc) 1229 pF @ 400 V 313W(Tc) 39.3ミリオーム @ 30A、18V 4.2V @ 5mA 51 nC @ 18 V +22V、-10V -55°C~200°C(TJ) スルーホール TO-247-4 SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) -

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