HP8ME5TB1
ROHM
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เอกสาร
คำอธิบายสินค้า
| Category | ดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์ Arrays |
| Manufacturer | ROHM |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 3A(TA)、8.5A(Tc)、3A(TA)、8A(Tc) |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 90pF @ 50V、590pF @ 50V |
| 電力 - 最大 | 3W（Ta）、20W（Tc） |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 193ミリオーム @ 3A、10V、273ミリオーム @ 3A、10V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 2.5V @ 1mA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 2.9nC @ 10V、19.7nC @ 10V |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| 構成 | NおよびPチャンネル |
| FET機能 | 標準 |
| 使用温度範囲 | 150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | 8-HSOP |
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มีอยู่ในสต้อค: 2,314
MOQ:1
SPQ:1
จำนวนสินค้าค้างส่ง(Back Order): 0
| จำนวน | ราคาต่อหน่วย (FOB JAPAN) |
|---|---|
| 1 - 19 | $1.108 |
| 20 - 49 | $0.706 |
| 50 - 99 | $0.528 |
| 100 - 299 | $0.469 |
| 300 - 499 | $0.43 |
| 500 - 999 | $0.422 |
| 1,000 - 3,999 | $0.416 |
| 4,000 - | $0.411 |
