HP8KC6TB1
ROHM
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Product Specifications
| Category | Discrete semiconductors Arrays |
| Manufacturer | ROHM |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 8.5A(TA)、23A(Tc) |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 460pF @ 30V |
| 電力 - 最大 | 3W（Ta）、21W（Tc） |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 27ミリオーム @ 8.5A、10V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 2.5V @ 1mA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 7.6nC @ 10V |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| 構成 | 2 Nチャネル |
| FET機能 | 標準 |
| 使用温度範囲 | 150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | 8-HSOP |
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In Stock: 70
MOQ:1
SPQ:1
Scheduled Incoming Stock (back-order): 0
| Quantity | Unit Price | |
|---|---|---|
| 1 - 9 | $1.334 | |
| 10 - 49 | $1.085 | |
| 50 - 99 | $0.612 | |
| 100 - 299 | $0.552 | |
| 300 - 499 | $0.513 | |
| 500 - 999 | $0.505 | |
| 1,000 - 1,999 | $0.499 | |
| 2,000 - | $0.496 | |
