TT8J21TR
ROHM
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Product Specifications
| Category | Discrete semiconductors Arrays |
| Manufacturer | ROHM |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 2.5A |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 1270pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 650mW |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 68ミリオーム @ 2.5A、4.5V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 1V @ 1mA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 12nC @ 4.5V |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| 構成 | 2Pチャンネル（デュアル） |
| FET機能 | 論理レベルゲート |
| 使用温度範囲 | 150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | 8-TSST |
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In Stock: 3,000
MOQ:1
SPQ:1
Scheduled Incoming Stock (back-order): 0
| Quantity | Unit Price | |
|---|---|---|
| 1 - 9 | $0.174 | |
| 10 - 49 | $0.169 | |
| 50 - 99 | $0.166 | |
| 100 - 499 | $0.163 | |
| 500 - 999 | $0.162 | |
| 1,000 - 1,999 | $0.161 | |
| 2,000 - 3,999 | $0.161 | |
| 4,000 - | $0.161 | |
