IRF630NSTRLPBF
INFINEON
Images are for reference only.
Please see Product Specifications
for details.
Product Specifications
| Category | Discrete semiconductors Discrete single |
| Manufacturer | INFINEON |
| シリーズ | HEXFETR |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 200V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 9.3A(Tc) |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 575pF @ 25 V |
| 電力散逸（最大） | 82W（Tc） |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 300ミリオーム @ 5.4A、10V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 23.3 nC |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| 使用温度範囲 | -55°C～175°C（TJ） |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | D2PAK |
・This information is intended to provide a brief overview of the item.
・For a more comprehensive explanation of this product, please refer to the manufacturer's
official data sheet.
