HT8KE6TB1
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文件
商品說明
| Category | Discrete semiconductors Arrays |
| Manufacturer | ROHM |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 4.5A(TA)、13A(Tc) |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 305pF / 50V |
| 電力 - 最大 | 2W（Ta）、14W（Tc） |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 57ミリオーム @ 4.5A、10V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 2.5V @ 1mA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 6.7nC @ 10V |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| 構成 | 2 Nチャネル |
| FET機能 | 標準 |
| 使用温度範囲 | 150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | 8-HSMT（3.2x3） |
・Product description information is provided for convenience to provide an overview of the product.
・Please refer to the data sheet issued by the manufacturer for the relevant official information.
庫存量: 50
MOQ:1
SPQ:1
預定入貨數量(延期交貨): 0
| 購買數量 | 單價(FOB JAPAN) |
|---|---|
| 1 - 19 | $1.25 |
| 20 - 49 | $0.76 |
| 50 - 99 | $0.58 |
| 100 - 299 | $0.52 |
| 300 - 499 | $0.48 |
| 500 - 999 | $0.47 |
| 1,000 - 3,999 | $0.47 |
| 4,000 - | $0.46 |
