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核友管理編號		 メーカー名 シリーズ ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 電力 - 最大 Id、Vgs印加時のRds On（最大） Id印加時のVgs（th）（最大） Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 技術 構成 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ
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SI4900DY-T1-E3
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MOSFET - アレイ 60V 5.3A 3.1W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4900DY-T1-E3TR-ND@0

60V 5.3A 665pF @ 15V 3.1W 58ミリオーム @ 4.3A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2 Nチャンネル（デュアル） 論理レベルゲート -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4900DY-T1-GE3
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MOSFET - アレイ 60V 5.3A 3.1W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4900DY-T1-GE3TR-ND@0

60V 5.3A 665pF @ 15V 3.1W 58ミリオーム @ 4.3A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2 Nチャンネル（デュアル） 論理レベルゲート -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4900DY-T1-GE3
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MOSFET - アレイ 60V 5.3A 3.1W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4900DY-T1-GE3CT-ND@0

60V 5.3A 665pF @ 15V 3.1W 58ミリオーム @ 4.3A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2 Nチャンネル（デュアル） 論理レベルゲート -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4904DY-T1-E3
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MOSFET - アレイ 40V 8A 3.25W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4904DY-T1-E3CT-ND@0

40V 8A 2390pF @ 20V 3.25W 16ミリオーム @ 5A、10V 2V @ 250µA 85nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2 Nチャンネル（デュアル） - -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4904DY-T1-E3
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MOSFET - アレイ 40V 8A 3.25W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4904DY-T1-E3TR-ND@0

40V 8A 2390pF @ 20V 3.25W 16ミリオーム @ 5A、10V 2V @ 250µA 85nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2 Nチャンネル（デュアル） - -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4904DY-T1-GE3
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MOSFET - アレイ 40V 8A 3.25W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4904DY-T1-GE3TR-ND@0

40V 8A 2390pF @ 20V 3.25W 16ミリオーム @ 5A、10V 2V @ 250µA 85nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2 Nチャンネル（デュアル） - -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4904DY-T1-GE3
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MOSFET - アレイ 40V 8A 3.25W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4904DY-T1-GE3CT-ND@0

40V 8A 2390pF @ 20V 3.25W 16ミリオーム @ 5A、10V 2V @ 250µA 85nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2 Nチャンネル（デュアル） - -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4909DY-T1-GE3
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MOSFET - アレイ 40V 8A 3.2W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4909DY-T1-GE3TR-ND@0

40V 8A 2000pF @ 20V 3.2W 27ミリオーム @ 8A、10V 2.5V @ 250µA 63nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2Pチャンネル（デュアル） 論理レベルゲート -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4909DY-T1-GE3
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MOSFET - アレイ 40V 8A 3.2W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4909DY-T1-GE3CT-ND@0

40V 8A 2000pF @ 20V 3.2W 27ミリオーム @ 8A、10V 2.5V @ 250µA 63nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2Pチャンネル（デュアル） 論理レベルゲート -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4922BDY-T1-E3
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MOSFET - アレイ 30V 8A 3.1W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4922BDY-T1-E3TR-ND@0

30V 8A 2070pF @ 15V 3.1W 16ミリオーム @ 5A、10V 1.8V @ 250µA 62nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2 Nチャンネル（デュアル） - -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4922BDY-T1-E3
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MOSFET - アレイ 30V 8A 3.1W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4922BDY-T1-E3CT-ND@0

30V 8A 2070pF @ 15V 3.1W 16ミリオーム @ 5A、10V 1.8V @ 250µA 62nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2 Nチャンネル（デュアル） - -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4922BDY-T1-GE3
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MOSFET - アレイ 30V 8A 3.1W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4922BDY-T1-GE3TR-ND@0

30V 8A 2070pF @ 15V 3.1W 16ミリオーム @ 5A、10V 1.8V @ 250µA 62nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2 Nチャンネル（デュアル） - -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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MOSFET - アレイ 30V 8A 3.1W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4922BDY-T1-GE3CT-ND@0

30V 8A 2070pF @ 15V 3.1W 16ミリオーム @ 5A、10V 1.8V @ 250µA 62nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2 Nチャンネル（デュアル） - -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4925BDY-T1-E3
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MOSFET - アレイ 30V 5.3A 1.1W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4925BDY-T1-E3CT-ND@0

30V 5.3A - 1.1W 25ミリオーム @ 7.1A、10V 3V @ 250µA 50nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2Pチャンネル（デュアル） 論理レベルゲート -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4925BDY-T1-E3
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MOSFET - アレイ 30V 5.3A 1.1W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4925BDY-T1-E3TR-ND@0

30V 5.3A - 1.1W 25ミリオーム @ 7.1A、10V 3V @ 250µA 50nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2Pチャンネル（デュアル） 論理レベルゲート -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4925BDY-T1-GE3
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MOSFET - アレイ 30V 5.3A 1.1W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-742-SI4925BDY-T1-GE3CT-ND@0

30V 5.3A - 1.1W 25ミリオーム @ 7.1A、10V 3V @ 250µA 50nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2Pチャンネル（デュアル） 論理レベルゲート -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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MOSFET - アレイ 30V 5.3A 1.1W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-742-SI4925BDY-T1-GE3TR-ND@0

30V 5.3A - 1.1W 25ミリオーム @ 7.1A、10V 3V @ 250µA 50nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2Pチャンネル（デュアル） 論理レベルゲート -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4925DDY-T1-GE3
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MOSFET - アレイ 30V 8A 5W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4925DDY-T1-GE3CT-ND@0

30V 8A 1350pF @ 15V 5W 29ミリオーム @ 7.3A、10V 3V @ 250µA 50nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2Pチャンネル（デュアル） - -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4925DDY-T1-GE3
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MOSFET - アレイ 30V 8A 5W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4925DDY-T1-GE3TR-ND@0

30V 8A 1350pF @ 15V 5W 29ミリオーム @ 7.3A、10V 3V @ 250µA 50nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2Pチャンネル（デュアル） - -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4931DY-T1-E3
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MOSFET - アレイ 12V 6.7A 1.1W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4931DY-T1-E3CT-ND@0

12V 6.7A - 1.1W 18ミリオーム @ 8.9A、4.5V 1V @ 350µA 52nC @ 4.5V MOSFET（金属酸化物） 2Pチャンネル（デュアル） 論理レベルゲート -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4931DY-T1-E3
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MOSFET - アレイ 12V 6.7A 1.1W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4931DY-T1-E3TR-ND@0

12V 6.7A - 1.1W 18ミリオーム @ 8.9A、4.5V 1V @ 350µA 52nC @ 4.5V MOSFET（金属酸化物） 2Pチャンネル（デュアル） 論理レベルゲート -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4931DY-T1-GE3
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MOSFET - アレイ 12V 6.7A 1.1W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4931DY-T1-GE3CT-ND@0

12V 6.7A - 1.1W 18ミリオーム @ 8.9A、4.5V 1V @ 350µA 52nC @ 4.5V MOSFET（金属酸化物） 2Pチャンネル（デュアル） 論理レベルゲート -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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MOSFET - アレイ 12V 6.7A 1.1W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4931DY-T1-GE3TR-ND@0

12V 6.7A - 1.1W 18ミリオーム @ 8.9A、4.5V 1V @ 350µA 52nC @ 4.5V MOSFET（金属酸化物） 2Pチャンネル（デュアル） 論理レベルゲート -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4932DY-T1-GE3
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MOSFET - アレイ 30V 8A 3.2W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4932DY-T1-GE3TR-ND@0

30V 8A 1750pF @ 15V 3.2W 15ミリオーム @ 7A、10V 2.5V @ 250µA 48nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2 Nチャンネル（デュアル） 論理レベルゲート -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4932DY-T1-GE3
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MOSFET - アレイ 30V 8A 3.2W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4932DY-T1-GE3CT-ND@0

30V 8A 1750pF @ 15V 3.2W 15ミリオーム @ 7A、10V 2.5V @ 250µA 48nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2 Nチャンネル（デュアル） 論理レベルゲート -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4936ADY-T1-E3
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MOSFET - アレイ 30V 4.4A 1.1W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4936ADY-T1-E3TR-ND@0

30V 4.4A - 1.1W 36ミリオーム @ 5.9A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2 Nチャンネル（デュアル） 論理レベルゲート -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4936ADY-T1-E3
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MOSFET - アレイ 30V 4.4A 1.1W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4936ADY-T1-E3CT-ND@0

30V 4.4A - 1.1W 36ミリオーム @ 5.9A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2 Nチャンネル（デュアル） 論理レベルゲート -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4936ADY-T1-GE3
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MOSFET - アレイ 30V 4.4A 1.1W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4936ADY-T1-GE3-ND@0

30V 4.4A - 1.1W 36ミリオーム @ 5.9A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2 Nチャンネル（デュアル） 論理レベルゲート -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4936BDY-T1-E3
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MOSFET - アレイ 30V 6.9A 2.8W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4936BDY-T1-E3TR-ND@0

30V 6.9A 530pF @ 15V 2.8W 35ミリオーム @ 5.9A、10V 3V @ 250µA 15nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2 Nチャンネル（デュアル） 論理レベルゲート -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4936BDY-T1-E3
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MOSFET - アレイ 30V 6.9A 2.8W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4936BDY-T1-E3CT-ND@0

30V 6.9A 530pF @ 15V 2.8W 35ミリオーム @ 5.9A、10V 3V @ 250µA 15nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2 Nチャンネル（デュアル） 論理レベルゲート -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4936BDY-T1-GE3
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MOSFET - アレイ 30V 6.9A 2.8W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4936BDY-T1-GE3CT-ND@0

30V 6.9A 530pF @ 15V 2.8W 35ミリオーム @ 5.9A、10V 3V @ 250µA 15nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2 Nチャンネル（デュアル） 論理レベルゲート -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4936BDY-T1-GE3
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MOSFET - アレイ 30V 6.9A 2.8W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4936BDY-T1-GE3TR-ND@0

30V 6.9A 530pF @ 15V 2.8W 35ミリオーム @ 5.9A、10V 3V @ 250µA 15nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2 Nチャンネル（デュアル） 論理レベルゲート -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4936CDY-T1-E3
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MOSFET - アレイ 30V 5.8A 2.3W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4936CDY-T1-E3-ND@0

30V 5.8A 325pF @ 15V 2.3W 40ミリオーム @ 5A、10V 3V @ 250µA 9nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2 Nチャンネル（デュアル） 論理レベルゲート -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC
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SI4936CDY-T1-GE3
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MOSFET - アレイ 30V 5.8A 2.3W 面実装 8-SOIC
核友型號：zp2216-SI4936CDY-T1-GE3TR-ND@0

30V 5.8A 325pF @ 15V 2.3W 40ミリオーム @ 5A、10V 3V @ 250µA 9nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2 Nチャンネル（デュアル） 論理レベルゲート -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOIC

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