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核友管理編號
メーカー名 シリーズ IGBTタイプ 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 電流 - コレクタ遮断(最大) 電流 - コレクタ(Ic)(最大) 入力 入力静電容量(Cies) @ Vce 電力 - 最大 NTCサーミスタ Vce(on)(最大) @ Vge、Ic 商品概要 構成 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ
Partner Stock

VS-40MT120PHAPBF

VS-40MT120PHAPBF
VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION

RoHS
   

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IGBT モジュール トレンチ型フィールドストップ ハーフブリッジ 1200 V 75 A 305 W スルーホール 12-MTP
核友型號:zp2216-112-VS-40MT120PHAPBF-ND@0

Vishay General Semiconductor - Diodes Division - トレンチ型フィールドストップ 1200 V 50 µA 75 A 標準 3.2 nF @ 25 V 305 W なし 2.65V @ 15V、40A ハーフブリッジ -40°C~150°C(TJ) スルーホール 12-MTP
Partner Stock

VS-GT100DA120UF

VS-GT100DA120UF
VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION

RoHS
   

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IGBT モジュール トレンチ シングル 1200 V 187 A 890 W シャーシマウント SOT-227
核友型號:zp2216-VS-GT100DA120UF-ND@0

Vishay General Semiconductor - Diodes Division HEXFRED® トレンチ 1200 V 100 µA 187 A 標準 6.15 nF @ 25 V 890 W なし 2.55V @ 15V、100A シングル -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SOT-227
Partner Stock

VS-GT180DA120U

VS-GT180DA120U
VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION

RoHS
   

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IGBT モジュール トレンチ型フィールドストップ シングル 1200 V 281 A 1087 W シャーシマウント SOT-227
核友型號:zp2216-VS-GT180DA120U-ND@0

Vishay General Semiconductor - Diodes Division HEXFRED® トレンチ型フィールドストップ 1200 V 100 µA 281 A 標準 9.35 nF @ 25 V 1087 W なし 2.05V @ 15V、 100A シングル -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SOT-227
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