メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)

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メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 商品概要 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)
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560k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 560k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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560k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 560k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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62 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 62 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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62 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 62 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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620 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 620 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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620 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 620 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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6.2k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 6.2k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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6.2k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 6.2k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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62k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 62k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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62k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 62k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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620k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 620k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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620k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 620k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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68 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 68 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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68 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 68 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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680 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 680 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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680 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 680 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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6.8k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 6.8k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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6.8k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 6.8k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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68k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 68k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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68k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 68k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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680k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 680k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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680k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 680k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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75 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 75 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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75 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 75 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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750 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 750 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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750 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 750 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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7.5k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 7.5k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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7.5k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 7.5k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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75k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043753GPTR-ND@0

絶縁型 75k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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75k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043753JPTR-ND@0

絶縁型 75k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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750k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043754GPTR-ND@0

絶縁型 750k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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750k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043754JPTR-ND@0

絶縁型 750k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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82 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043820GPTR-ND@0

絶縁型 82 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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82 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043820JPTR-ND@0

絶縁型 82 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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820 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043821GPTR-ND@0

絶縁型 820 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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820 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043821JPTR-ND@0

絶縁型 820 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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8.2k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 8.2k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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8.2k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043822JPTR-ND@0

絶縁型 8.2k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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82k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043823GPTR-ND@0

絶縁型 82k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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82k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043823JPTR-ND@0

絶縁型 82k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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820k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043824GPTR-ND@0

絶縁型 820k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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820k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043824JPTR-ND@0

絶縁型 820k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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91 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043910GPTR-ND@0

絶縁型 91 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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91 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043910JPTR-ND@0

絶縁型 91 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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910 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043911GPTR-ND@0

絶縁型 910 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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910 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043911JPTR-ND@0

絶縁型 910 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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9.1k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043912GPTR-ND@0

絶縁型 9.1k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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9.1k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043912JPTR-ND@0

絶縁型 9.1k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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91k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043913GPTR-ND@0

絶縁型 91k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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91k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 91k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)