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核友管理編號		 メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 電力散逸（最大） Id、Vgs印加時のRds On（最大） Id印加時のVgs（th）（最大） Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） Vgs（最大） 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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核友型號：zp2216-IXTA02N250-ND@0

IXYS Nチャンネル 2500 V 10V 200mA（Tc） 116 pF @ 25 V 83W（Tc） 450オーム @ 50mA、10V 4.5V @ 250µA 7.4 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA02N250HV-ND@0

IXYS Nチャンネル 2500 V 10V 200mA（Tc） 116 pF @ 25 V 83W（Tc） 450オーム @ 50mA、10V 4.5V @ 250µA 7.4 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA02N250HV-TRL-ND@0

IXYS Nチャンネル 2500 V 10V 200mA（Tc） 116 pF @ 25 V 83W（Tc） 450オーム @ 50mA、10V 4.5V @ 250µA 7.4 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263HV MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA02N450HV-ND@0

IXYS Nチャンネル 4500 V 10V 200mA（Tc） 256 pF @ 25 V 113W（Tc） 750オーム @ 10mA、10V 6.5V @ 250µA 10.4 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA05N100-ND@0

IXYS Nチャンネル 1000 V 10V 750mA（Tc） 260 pF @ 25 V 40W（Tc） 17オーム @ 375mA、10V 4.5V @ 250µA 7.8 nC @ 10 V ±30V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA05N100-TRL-ND@0

IXYS Nチャンネル 1000 V 10V 750mA（Tc） 260 pF @ 25 V 40W（Tc） 17オーム @ 375mA、10V 4.5V @ 250µA 7.8 nC @ 10 V ±30V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263（D2PAK） MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA05N100HV-ND@0

IXYS Nチャンネル 1000 V 10V 750mA（Tc） 260 pF @ 25 V 40W（Tc） 17オーム @ 375mA、10V 4.5V @ 250µA 7.8 nC @ 10 V ±30V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263HV MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA05N100HV-TRL-ND@0

IXYS Nチャンネル 1000 V 10V 750mA（Tc） 260 pF @ 25 V 40W（Tc） 17オーム @ 375mA、10V 4.5V @ 250µA 7.8 nC @ 10 V ±30V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263HV MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA06N120P-ND@0

IXYS Polar Nチャンネル 1200 V 10V 600mA（Tc） 270 pF @ 25 V 42W（Tc） 32オーム @ 300mA、10V 4.5V @ 50µA 13.3 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA06N120P-TRL-ND@0

IXYS Polar Nチャンネル 1200 V 10V 600mA（Tc） 236 pF @ 25 V 42W（Tc） 34オーム @ 300mA、10V 4V @ 50µA 13.3 nC @ 10 V ±30V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263（D2PAK） MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA08N100D2-ND@0

IXYS Depletion Nチャンネル、デプレッションモード 1000 V 800mA（Tc） 325 pF @ 25 V 60W（Tc） 21オーム @ 400mA、0V 14.6 nC @ 5 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA08N100D2-TRL-ND@0

IXYS Depletion Nチャンネル、デプレッションモード 1000 V 0V 800mA（Tj） 325 pF @ 25 V 60W（Tc） 21オーム @ 400mA、0V 4V @ 25µA 14.6 nC @ 5 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263（D2PAK） MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA08N100D2HV-ND@0

IXYS Depletion Nチャンネル、デプレッションモード 1000 V 0V 800mA（Tj） 325 pF @ 25 V 60W（Tc） 21オーム @ 400mA、0V 4V @ 25µA 14.6 nC @ 5 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263HV MOSFET（金属酸化物）
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IXYS Depletion Nチャンネル、デプレッションモード 1000 V 0V 800mA（Tj） 325 pF @ 25 V 60W（Tc） 21オーム @ 400mA、0V 4V @ 25µA 14.6 nC @ 5 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263HV MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA08N100P-ND@0

IXYS Polar Nチャンネル 1000 V 10V 800mA（Tc） 240 pF @ 25 V 42W（Tc） 20オーム @ 500mA、10V 4V @ 50µA 11.3 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA08N120P-ND@0

IXYS Polar Nチャンネル 1200 V 10V 800mA（Tc） 333 pF @ 25 V 50W（Tc） 25オーム @ 500mA、10V 4.5V @ 50µA 14 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA08N120P-TRL-ND@0

IXYS Polar Nチャンネル 1200 V 10V 800mA（Tc） 333 pF @ 25 V 50W（Tc） 25オーム @ 400mA、10V 4.5V @ 50µA 14 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263（D2PAK） MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA08N50D2-ND@0

IXYS Depletion Nチャンネル、デプレッションモード 500 V 800mA（Tc） 312 pF @ 25 V 60W（Tc） 4.6オーム @ 400mA、0V 12.7 nC @ 5 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA100N04T2-ND@0

IXYS TrenchT2™ Nチャンネル 40 V 10V 100A（Tc） 2690 pF @ 25 V 150W（Tc） 7ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 250µA 25.5 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA100N04T2-TRL-ND@0

IXYS TrenchT2™ Nチャンネル 40 V 10V 100A（Tc） 2690 pF @ 25 V 150W（Tc） 7ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 250µA 25.5 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 TO-263（D2PAK） MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA100N15X4-ND@0

IXYS Ultra X4 Nチャンネル 150 V 10V 100A（Tc） 3970 pF @ 25 V 375W（Tc） 11.5ミリオーム @ 50A、10V 4.5V @ 250µA 74 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA102N15T-ND@0

IXYS Trench Nチャンネル 150 V 10V 102A（Tc） 5220 pF @ 25 V 455W（Tc） 18ミリオーム @ 500mA、10V 5V @ 1mA 87 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA102N15T-TRL-ND@0

IXYS Trench Nチャンネル 150 V 10V 102A（Tc） 5220 pF @ 25 V 455W（Tc） 18ミリオーム @ 51A、10V 5V @ 1mA 87 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 TO-263（D2PAK） MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA10N60P-ND@0

IXYS Polar Nチャンネル 600 V 10V 10A（Tc） 1610 pF @ 25 V 200W（Tc） 740ミリオーム @ 5A、10V 5.5V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±30V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA10P15T-ND@0

IXYS TrenchP™ Pチャンネル 150 V 10V 10A（Tc） 2210 pF @ 25 V 83W（Ta） 350ミリオーム @ 5A、10V 4.5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±15V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263（D2PAK） MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA10P15T-TRL-ND@0

IXYS TrenchP™ Pチャンネル 150 V 10V 10A（Tc） 2210 pF @ 25 V 83W（Ta） 350ミリオーム @ 5A、10V 4.5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±15V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263（D2PAK） MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA10P50P-ND@0

IXYS Polar Pチャンネル 500 V 10V 10A（Tc） 2840 pF @ 25 V 300W（Tc） 1オーム @ 5A、10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA10P50P-TRL-ND@0

IXYS Polar Pチャンネル 500 V 10V 10A（Tc） 2840 pF @ 25 V 300W（Tc） 1オーム @ 5A、10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA110N055P-ND@0

IXYS Polar Nチャンネル 55 V 10V 110A（Tc） 2210 pF @ 25 V 390W（Tc） 13.5ミリオーム @ 500mA、10V 5.5V @ 250µA 76 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA110N055T-ND@0

IXYS TrenchMV™ Nチャンネル 55 V 10V 110A（Tc） 3080 pF @ 25 V 230W（Tc） 7ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 100µA 67 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA110N055T2-ND@0

IXYS TrenchT2™ Nチャンネル 55 V 10V 110A（Tc） 3060 pF @ 25 V 180W（Tc） 6.6ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 250µA 57 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA110N055T2-TRL-ND@0

IXYS TrenchT2™ Nチャンネル 55 V 10V 110A（Tc） 3060 pF @ 25 V 180W（Tc） 6.6ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 250µA 57 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 TO-263（D2PAK） MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA110N055T7-ND@0

IXYS Trench Nチャンネル 55 V 10V 110A（Tc） 3080 pF @ 25 V 230W（Tc） 7ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 100µA 67 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 TO-263-7（IXTA） MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA110N12T2-ND@0

IXYS TrenchT2™ Nチャンネル 120 V 10V 110A（Tc） 6570 pF @ 25 V 517W（Tc） 14ミリオーム @ 55A、10V 4.5V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA120N04T2-ND@0

IXYS TrenchT2™ Nチャンネル 40 V 10V 120A（Tc） 3240 pF @ 25 V 200W（Tc） 6.1ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA120N075T2-ND@0

IXYS TrenchT2™ Nチャンネル 75 V 10V 120A（Tc） 4740 pF @ 25 V 250W（Tc） 7.7ミリオーム @ 60A、10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA120P065T-ND@0

IXYS TrenchP™ Pチャンネル 65 V 10V 120A（Tc） 13200 pF @ 25 V 298W（Tc） 10ミリオーム @ 500mA、10V 4V @ 250µA 185 nC @ 10 V ±15V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA120P065T-TRL-ND@0

IXYS TrenchP™ Pチャンネル 65 V 10V 120A（Tc） 13200 pF @ 25 V 298W（Tc） 10ミリオーム @ 60A、10V 4V @ 250µA 185 nC @ 10 V ±15V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263（D2PAK） MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA12N50P-ND@0

IXYS Polar Nチャンネル 500 V 10V 12A（Tc） 1830 pF @ 25 V 200W（Tc） 500ミリオーム @ 6A、10V 5.5V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±30V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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IXTA12N65X2
RoHS
   

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Nチャンネル 650 V 12A（Tc） 180W（Tc） 面実装 TO-263AA
核友型號：zp2216-IXTA12N65X2-ND@0

Nチャンネル 650 V 10V 12A（Tc） 1100 pF @ 25 V 180W（Tc） 300ミリオーム @ 6A、10V 5V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±30V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物） -
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核友型號：zp2216-IXTA130N065T2-ND@0

IXYS TrenchT2™ Nチャンネル 65 V 10V 130A（Tc） 4800 pF @ 25 V 250W（Tc） 6.6ミリオーム @ 50A、10V 4V @ 250µA 79 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA130N10T-ND@0

IXYS Trench Nチャンネル 100 V 10V 130A（Tc） 5080 pF @ 25 V 360W（Tc） 9.1ミリオーム @ 25A、10V 4.5V @ 250µA 104 nC @ 10 V ±30V -55°C～175°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA130N10T-TRL-ND@0

IXYS Trench Nチャンネル 100 V 10V 130A（Tc） 5080 pF @ 25 V 360W（Tc） 9.1ミリオーム @ 25A、10V 4.5V @ 250µA 104 nC @ 10 V ±30V -55°C～175°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA130N10T7-ND@0

IXYS Trench Nチャンネル 100 V 10V 130A（Tc） 5080 pF @ 25 V 360W（Tc） 9.1ミリオーム @ 25A、10V 4.5V @ 250µA 104 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 TO-263-7（IXTA） MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA130N15X4-ND@0

IXYS Ultra X4 Nチャンネル 150 V 10V 130A（Tc） 4770 pF @ 25 V 400W（Tc） 8ミリオーム @ 65A、10V 4.5V @ 250µA 87 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA130N15X4-7-ND@0

IXYS Ultra X4 Nチャンネル 150 V 10V 130A（Tc） 4770 pF @ 25 V 400W（Tc） 8ミリオーム @ 65A、10V 4.5V @ 250µA 87 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263-7（IXTA） MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA140N055T2-ND@0

IXYS TrenchT2™ Nチャンネル 55 V 10V 140A（Tc） 4760 pF @ 25 V 250W（Ta） 5.4ミリオーム @ 50A、10V 4V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 TO-263（D2PAK） MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA140N12T2-ND@0

IXYS TrenchT2™ Nチャンネル 120 V 10V 140A（Tc） 9700 pF @ 25 V 577W（Tc） 10ミリオーム @ 70A、10V 4.5V @ 250µA 174 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA140P05T-ND@0

IXYS TrenchP™ Pチャンネル 50 V 10V 140A（Tc） 13500 pF @ 25 V 298W（Tc） 9ミリオーム @ 70A、10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±15V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）
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核友型號：zp2216-IXTA140P05T-TRL-ND@0

IXYS TrenchP™ Pチャンネル 50 V 10V 140A（Tc） 13500 pF @ 25 V 298W（Tc） 9ミリオーム @ 70A、10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±15V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263AA MOSFET（金属酸化物）

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