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庫存類別
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預定出貨日 ECAD模型 資訊
核友管理編號
メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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NTTFS6H880NLTAG

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Nチャンネル 80 V 6.6A(Ta)、22A(Tc) 3.1W(Ta)、33W(Tc) 面実装 8-WDFN(3.3x3.3)
核友型號:zp2216-488-NTTFS6H880NLTAGTR-ND@0

Nチャンネル 80 V 4.5V、10V 6.6A(Ta)、22A(Tc) 431 pF @ 40 V 3.1W(Ta)、33W(Tc) 29ミリオーム @ 5A、10V 2V @ 20µA 9 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-WDFN(3.3x3.3) MOSFET(金属酸化物) -
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NTTFS6H880NLTAG

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Nチャンネル 80 V 6.6A(Ta)、22A(Tc) 3.1W(Ta)、33W(Tc) 面実装 8-WDFN(3.3x3.3)
核友型號:zp2216-488-NTTFS6H880NLTAGCT-ND@0

Nチャンネル 80 V 4.5V、10V 6.6A(Ta)、22A(Tc) 431 pF @ 40 V 3.1W(Ta)、33W(Tc) 29ミリオーム @ 5A、10V 2V @ 20µA 9 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-WDFN(3.3x3.3) MOSFET(金属酸化物) -
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NTTFS6H880NTAG

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Nチャンネル 80 V 6.3A(Ta)、21A(Tc) 3.1W(Ta)、31W(Tc) 面実装 8-WDFN(3.3x3.3)
核友型號:zp2216-488-NTTFS6H880NTAGTR-ND@0

Nチャンネル 80 V 6V、10V 6.3A(Ta)、21A(Tc) 370 pF @ 40 V 3.1W(Ta)、31W(Tc) 32ミリオーム @ 5A、10V 4V @ 20µA 6.9 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-WDFN(3.3x3.3) MOSFET(金属酸化物) -
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NTTFS6H880NTAG

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Nチャンネル 80 V 6.3A(Ta)、21A(Tc) 3.1W(Ta)、31W(Tc) 面実装 8-WDFN(3.3x3.3)
核友型號:zp2216-488-NTTFS6H880NTAGCT-ND@0

Nチャンネル 80 V 6V、10V 6.3A(Ta)、21A(Tc) 370 pF @ 40 V 3.1W(Ta)、31W(Tc) 32ミリオーム @ 5A、10V 4V @ 20µA 6.9 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-WDFN(3.3x3.3) MOSFET(金属酸化物) -
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NTTFS6H888NTAG

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Nチャンネル 80 V 4.7A(Ta)、12A(Tc) 2.9W(Ta)、18W(Tc) 面実装 8-WDFN(3.3x3.3)
核友型號:zp2216-488-NTTFS6H888NTAGCT-ND@0

Nチャンネル 80 V 6V、10V 4.7A(Ta)、12A(Tc) 220 pF @ 40 V 2.9W(Ta)、18W(Tc) 55ミリオーム @ 5A、10V 4V @ 15µA 4.7 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-WDFN(3.3x3.3) MOSFET(金属酸化物) -
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NTTFS6H888NTAG

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Nチャンネル 80 V 4.7A(Ta)、12A(Tc) 2.9W(Ta)、18W(Tc) 面実装 8-WDFN(3.3x3.3)
核友型號:zp2216-488-NTTFS6H888NTAGTR-ND@0

Nチャンネル 80 V 6V、10V 4.7A(Ta)、12A(Tc) 220 pF @ 40 V 2.9W(Ta)、18W(Tc) 55ミリオーム @ 5A、10V 4V @ 15µA 4.7 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-WDFN(3.3x3.3) MOSFET(金属酸化物) -
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Nチャンネル 80 V 14A(Ta)、61A(Tc) 3.2W(Ta)、63W(Tc) 面実装 8-WDFN(3.3x3.3)
核友型號:zp2216-488-NTTFS8D1N08HTAGTR-ND@0

Nチャンネル 80 V 6V、10V 14A(Ta)、61A(Tc) 1450 pF @ 20 V 3.2W(Ta)、63W(Tc) 8.3ミリオーム @ 16A、10V 4V @ 80µA 23 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-WDFN(3.3x3.3) MOSFET(金属酸化物) -
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Nチャンネル 80 V 14A(Ta)、61A(Tc) 3.2W(Ta)、63W(Tc) 面実装 8-WDFN(3.3x3.3)
核友型號:zp2216-488-NTTFS8D1N08HTAGCT-ND@0

Nチャンネル 80 V 6V、10V 14A(Ta)、61A(Tc) 1450 pF @ 20 V 3.2W(Ta)、63W(Tc) 8.3ミリオーム @ 16A、10V 4V @ 80µA 23 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-WDFN(3.3x3.3) MOSFET(金属酸化物) -
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Nチャンネル 25 V 39A(Ta)、264A(Tc) 2W(Ta)、89W(Tc) 面実装 9-WDFN(3.3x3.3)
核友型號:zp2216-488-NTTFSS1D1N02P1ETR-ND@0

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 39A(Ta)、264A(Tc) 4360 pF @ 13 V 2W(Ta)、89W(Tc) 0.85ミリオーム @ 27A、10V 2V @ 934µA 60 nC @ 10 V ±16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 9-WDFN(3.3x3.3) MOSFET(金属酸化物) -
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NTTYS009N08HLTWG

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Nチャンネル 80 V 12A(Ta)、58A(Tc) 3.2W(Ta)、73W(Tc) 面実装 8-LFPAK
核友型號:zp2216-488-NTTYS009N08HLTWGTR-ND@0

Nチャンネル 80 V 4.5V、10V 12A(Ta)、58A(Tc) 1402 pF @ 40 V 3.2W(Ta)、73W(Tc) 8.6ミリオーム @ 10A、10V 2V @ 70µA 24 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-LFPAK MOSFET(金属酸化物) -
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NTTYS009N08HLTWG

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Nチャンネル 80 V 12A(Ta)、58A(Tc) 3.2W(Ta)、73W(Tc) 面実装 8-LFPAK
核友型號:zp2216-488-NTTYS009N08HLTWGCT-ND@0

Nチャンネル 80 V 4.5V、10V 12A(Ta)、58A(Tc) 1402 pF @ 40 V 3.2W(Ta)、73W(Tc) 8.6ミリオーム @ 10A、10V 2V @ 70µA 24 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-LFPAK MOSFET(金属酸化物) -
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NTUD3169CZT5G

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MOSFET - アレイ 20V 220mA、200mA 125mW 面実装 SOT-963
核友型號:zp2216-NTUD3169CZT5GOSTR-ND@0

20V 220mA、200mA 12.5pF @ 15V 125mW 1.5オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-963
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NTUD3169CZT5G

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MOSFET - アレイ 20V 220mA、200mA 125mW 面実装 SOT-963
核友型號:zp2216-NTUD3169CZT5GOSCT-ND@0

20V 220mA、200mA 12.5pF @ 15V 125mW 1.5オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-963
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NTUD3170NZT5G

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MOSFET - アレイ 20V 220mA 125mW 面実装 SOT-963
核友型號:zp2216-NTUD3170NZT5GOSCT-ND@0

20V 220mA 12.5pF @ 15V 125mW 1.5オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-963
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NTUD3170NZT5G

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MOSFET - アレイ 20V 220mA 125mW 面実装 SOT-963
核友型號:zp2216-NTUD3170NZT5GOSTR-ND@0

20V 220mA 12.5pF @ 15V 125mW 1.5オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-963
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NTUD3174NZT5G

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MOSFET - アレイ 20V 220mA(Ta) 125mW(Ta) 面実装 SOT-963
核友型號:zp2216-NTUD3174NZT5GOSCT-ND@0

20V 220mA(Ta) 12.5pF @ 15V 125mW(Ta) 1.5オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 100µA - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-963
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NTUD3174NZT5G

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MOSFET - アレイ 20V 220mA(Ta) 125mW(Ta) 面実装 SOT-963
核友型號:zp2216-NTUD3174NZT5GOSTR-ND@0

20V 220mA(Ta) 12.5pF @ 15V 125mW(Ta) 1.5オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 100µA - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-963
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NTZD3152PT1G

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MOSFET - アレイ 20V 430mA 250mW 面実装 SOT-563
核友型號:zp2216-NTZD3152PT1GOSCT-ND@0

onsemi - 20V 430mA 175pF @ 16V 250mW 900ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 2.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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NTZD3152PT1G

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MOSFET - アレイ 20V 430mA 250mW 面実装 SOT-563
核友型號:zp2216-NTZD3152PT1GOSTR-ND@0

onsemi - 20V 430mA 175pF @ 16V 250mW 900ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 2.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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NTZD3154NT1G

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MOSFET - アレイ 20V 540mA 250mW 面実装 SOT-563
核友型號:zp2216-NTZD3154NT1GOSTR-ND@0

onsemi - 20V 540mA 150pF @ 16V 250mW 550ミリオーム @ 540mA、4.5V 1V @ 250µA 2.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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NTZD3154NT1G

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MOSFET - アレイ 20V 540mA 250mW 面実装 SOT-563
核友型號:zp2216-NTZD3154NT1GOSCT-ND@0

onsemi - 20V 540mA 150pF @ 16V 250mW 550ミリオーム @ 540mA、4.5V 1V @ 250µA 2.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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NTZD3154NT2G

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MOSFET - アレイ 20V 540mA 250mW 面実装 SOT-563
核友型號:zp2216-488-NTZD3154NT2GTR-ND@0

20V 540mA 150pF @ 16V 250mW 550ミリオーム @ 540mA、4.5V 1V @ 250µA 2.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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NTZD3154NT2G

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MOSFET - アレイ 20V 540mA 250mW 面実装 SOT-563
核友型號:zp2216-488-NTZD3154NT2GCT-ND@0

20V 540mA 150pF @ 16V 250mW 550ミリオーム @ 540mA、4.5V 1V @ 250µA 2.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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NTZD3154NT5G

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MOSFET - アレイ 20V 540mA 250mW 面実装 SOT-563
核友型號:zp2216-NTZD3154NT5GOSCT-ND@0

20V 540mA 150pF @ 16V 250mW 550ミリオーム @ 540mA、4.5V 1V @ 250µA 2.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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NTZD3155CT1G

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MOSFET - アレイ 20V 540mA、430mA 250mW 面実装 SOT-563
核友型號:zp2216-NTZD3155CT1GOSCT-ND@0

onsemi - 20V 540mA、430mA 150pF @ 16V 250mW 550ミリオーム @ 540mA、4.5V 1V @ 250µA 2.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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NTZD3155CT1G

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MOSFET - アレイ 20V 540mA、430mA 250mW 面実装 SOT-563
核友型號:zp2216-NTZD3155CT1GOSTR-ND@0

onsemi - 20V 540mA、430mA 150pF @ 16V 250mW 550ミリオーム @ 540mA、4.5V 1V @ 250µA 2.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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NTZD3155CT2G

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MOSFET - アレイ 20V 540mA、430mA 250mW 面実装 SOT-563
核友型號:zp2216-NTZD3155CT2GOSTR-ND@0

20V 540mA、430mA 150pF @ 16V 250mW 550ミリオーム @ 540mA、4.5V 1V @ 250µA 2.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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NTZD3155CT2G

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MOSFET - アレイ 20V 540mA、430mA 250mW 面実装 SOT-563
核友型號:zp2216-NTZD3155CT2GOSCT-ND@0

20V 540mA、430mA 150pF @ 16V 250mW 550ミリオーム @ 540mA、4.5V 1V @ 250µA 2.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563

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