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US6M1TR
※画像は参考です。
詳細は製品仕様をご覧ください。
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製品スペック
MSLステイタス:MSL=1
フロワーライフ=無制限（ただし、30℃ 85%RH以下）
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 アレイ |
| メーカー名 | ROHM |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 30V、20V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 1.4A、1A |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 70pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 1W |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 240ミリオーム @ 1.4A、10V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 2.5V @ 1mA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 2nC @ 5V |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| 構成 | NおよびPチャンネル |
| FET機能 | 論理レベルゲート |
| 使用温度範囲 | 150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | TUMT6 |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
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| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 1 - 99 | ¥ 37.82 |
| 100 - 299 | ¥ 33.11 |
| 300 - 499 | ¥ 26.49 |
| 500 - 999 | ¥ 25.17 |
| 1,000 - 3,999 | ¥ 24.17 |
| 4,000 - 4,999 | ¥ 23.43 |
| 5,000 - 9,999 | ¥ 23.38 |
| 10,000 - | ¥ 23.28 |
