US6M11TR
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製品スペック
MSLステイタス:MSL=1
フロワーライフ=無制限（ただし、30℃ 85%RH以下）
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 アレイ |
| メーカー名 | ROHM |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 20V、12V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 1.5A、1.3A |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 110pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 1W |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 180ミリオーム @ 1.5A、4.5V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 1V @ 1mA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 1.8nC @ 4.5V |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| 構成 | NおよびPチャンネル |
| FET機能 | 論理レベルゲート |
| 使用温度範囲 | 150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | TUMT6 |
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| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 1 - 99 | ¥ 39.08 |
| 100 - 299 | ¥ 33.88 |
| 300 - 499 | ¥ 27.26 |
| 500 - 999 | ¥ 25.94 |
| 1,000 - 3,999 | ¥ 24.95 |
| 4,000 - 4,999 | ¥ 24.2 |
| 5,000 - 9,999 | ¥ 24.15 |
| 10,000 - | ¥ 24.06 |
