R6030ENX

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2021/03/08 当社出荷予定

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R6030ENX 単体・シングル

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RoHS

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仕入先ランク:A-1(国内)
梱包形態:その他
原産国 :KR

商品説明

カテゴリ名 ディスクリート半導体
メーカー名 ROHM
Case/PackageTO-220-3
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance115 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Height15.4 mm
Input Capacitance2.1 nF
Lead FreeLead Free
Length10.3 mm
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation86 W
Min Operating Temperature-55 °C
MountThrough Hole
Number of Channels1
Number of Pins3
Number of Terminals3
PackagingBulk
Rds On Max130 mΩ
REACH SVHCNo SVHC
Rise Time55 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time190 ns
Turn-On Delay Time40 ns
Weight2.565008 g
Width4.8 mm
シリーズ
FETタイプMOSFET Nch
FET機能
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)600V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)30A
Id、Vgs印加時のRdsOn(最大)0.115Ohms
Id印加時のVgs(th)(最大)
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)85nC
Vds印加時の入力容量(Ciss)
消費電力(最大)
動作温度範囲
用途
実装タイプスルーホール
デバイスパッケージTO-220FM

類似スペック製品

購入数量単価(JPY)
1 - 9 ¥ 582.0
10 - 49 ¥ 477.0
50 - 99 ¥ 378.0
100 - 499 ¥ 359.0
500 - 999 ¥ 309.0
1,000 - ¥ 298.0
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