R6030ENX
2021/03/05 16:00 までのオーダーで
2021/03/08 当社出荷予定
ドキュメント
Datasheet
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品質保証書
見積書
| RoHSステイタス |
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RoHS |
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画像はあくまで参考です。詳細は製品仕様をご覧ください。
商品説明
| カテゴリ名 |
ディスクリート半導体 単体・シングル |
| メーカー名 | ROHM |
| Case/Package | TO-220-3 |
| Continuous Drain Current (ID) | 30 A |
| Drain to Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Drain to Source Resistance | 115 mΩ |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Fall Time | 60 ns |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 20 V |
| Height | 15.4 mm |
| Input Capacitance | 2.1 nF |
| Lead Free | Lead Free |
| Length | 10.3 mm |
| Max Operating Temperature | 150 °C |
| Max Power Dissipation | 86 W |
| Min Operating Temperature | -55 °C |
| Mount | Through Hole |
| Number of Channels | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Number of Terminals | 3 |
| Packaging | Bulk |
| Rds On Max | 130 mΩ |
| REACH SVHC | No SVHC |
| Rise Time | 55 ns |
| Threshold Voltage | 4 V |
| Turn-Off Delay Time | 190 ns |
| Turn-On Delay Time | 40 ns |
| Weight | 2.565008 g |
| Width | 4.8 mm |
| シリーズ | |
| FETタイプ | MOSFET Nch |
| FET機能 | |
| ドレイン-ソース間電圧(Vdss） | 600V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id） | 30A |
| Id、Vgs印加時のRdsOn(最大） | 0.115Ohms |
| Id印加時のVgs(th）(最大） | |
| Vgs印加時のゲート電荷(Qg） | 85nC |
| Vds印加時の入力容量(Ciss） | |
| 消費電力(最大） | |
| 動作温度範囲 | |
| 用途 | |
| 実装タイプ | スルーホール |
| デバイスパッケージ | TO-220FM |
類似スペック製品
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥ 582.0 |
| 10 - 49 | ¥ 477.0 |
| 50 - 99 | ¥ 378.0 |
| 100 - 499 | ¥ 359.0 |
| 500 - 999 | ¥ 309.0 |
| 1,000 - | ¥ 298.0 |
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